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- 描述 DDR2sdram使用双数据速率架构来实现高速操作。
双数据速率体系结构本质上是一个4n预取体系结构,有一个接口设计用于在I/O球上每个时钟周期传输两个数据字。
针对DDR2sdram的单个READ或写操作有效地包括在内部DRAM核心的单个4n位宽的双时钟周期数据传输和在I/O球的四个相应的n位宽的半时钟周期数据传输。
一个双向数据频闪器(DQS,DQS#)与数据一起在外部传输,用于接收机的数据捕获。
DQS是在READs期间由DDR2sdram和在写入期间由内存控制器传输的频闪器。
DQS与read的数据边缘对齐,与作家的数据中心对齐。
x16产品有两个数据频闪器,一个用于下字节(LDQS,LDQS#),另一个用于上字节(UDQS,UDQS#)。
DDR2sdram从差动时钟(CK和CK#)工作;CK高和CK#低的交叉将被称为CK的正边。
分别记录命令(地址和控制信号)。
输入数据被注册在DQS的两条边上,输出数据被引用到DQS的两条边和CK的两条边上。
对DDR2sdram的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始,然后在编程序列中继续执行编程数量的位置。
访问从注册*命令开始,然后是读或写命令。
与*命令一致的地址位用于选择要访问的行和行。
与READ或写命令一致注册的地址位用于选择突发访问的行和起始列位置。
DDR2sdram提供了4个或8个位置的可编程读或写突发长度。
DDR2sdram支持用另一个读中断8的突发读,或者用另一个写中断8的突发写。
可以启用自动预充电功能,以提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。
与标准的DDRsdram一样,DDR2sdram的流水线、多银行架构能够实现并行操作,从而通过隐藏行预电和*时间来提供高、有效的带宽。
它还提供了一种自刷新模式,以及一种节能、下电模式。
所有的输入都与SSTL_18的JEDEC标准兼容。
所有全驱动强度输出都与SSTL_18兼容。
工业温度 如果提供工业温度(IT)选项,同时有两个要求:设备周围的环境温度不能低于-40°C或大于85°C,外壳温度不能低于-40°C或大于95°C。
JEDEC规范要求在TC超过85°C时刷新率翻倍;这还需要使用高温自刷新选项。
此外,当TC为85°C时,ODT电阻、输入/输出阻抗和IDD值必须降低。
特征VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1VJEDEC标准1.8VI/O(SSTL_18兼容)差分数据选通(DQS、DQS#)选项4n位预取体系结构x8的重复输出选通(RDQS)选项DLL将DQ和DQS转换与CK对齐8家同时运营的内部银行可编程CAS延迟(CL)公布的CAS附加延迟(AL)写入延迟=读取延迟-1tCK可选突发长度(BL):4或8可调数据输出驱动强度64ms,8192次循环刷新芯片端接(ODT)工业温度(IT)选项汽车温度(AT)选项符合RoHS标准支持JEDEC时钟抖动规范选项1标记配置-256兆欧x4(32兆欧x4×8组)256M4-128兆欧x8(16兆欧x8×8组)128M8-64兆欧x16(8兆欧x16×8组)64M16FBGA封装(无铅)–x16–84球FBGA(8mmx12.5mm)模具Rev:H*–84球FBGA(8mmx12.5mm)模具Rev:M法国试验标准FBGA封装(无铅)–x4、x8–60球FBGA(8mmx10mm)模具Rev:H查阅–60球FBGA(8mmx10mm)模具Rev:M嘘FBGA封装(铅焊料)–x16–84球FBGA(8mmx12.5mm)模具Rev:HHWFBGA封装(铅焊料)–x4、x8–60球FBGA(8mmx10mm)模具Rev:HJN定时–循环时间-1.875ns@CL=7(DDR2-1066)-187E-2.5ns@CL=5(DDR2-800)-25E-3.0ns@CL=5(DDR2-667)-3自我刷新–标准无–低功耗L工作温度-商用(0°C“TC+85°C)2无-工业(-40°C)TC+95°C;-40°C(TA+85°C)信息技术修订版:H/:M标签:MT47存取存储镁光 MT47H64M16NF存取存储器镁光 深圳市7H64M16NF-25E 深圳市7H64M16NF-25E厂家
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